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三溫CHUCK晶圓盤在半導(dǎo)體制造和測(cè)試領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用場景和案例。以下是針對(duì)其應(yīng)用場景和案例的清晰歸納：

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK 應(yīng)用場景

1. 半導(dǎo)體測(cè)試：

晶圓測(cè)試：晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，以測(cè)試其電氣特性。三溫CHUCK晶圓盤能夠提供從低溫到高溫的測(cè)試環(huán)境，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

探針臺(tái)測(cè)試：在探針臺(tái)中，晶圓需要被精確地定位和固定。三溫CHUCK晶圓盤能夠穩(wěn)定地夾持和定位晶圓，確保測(cè)試過程中的精度和一致性。

2. 光刻技術(shù)：

在光刻過程中，晶圓需要被固定在光刻機(jī)上以保證曝光過程的平穩(wěn)性和精度。三溫CHUCK晶圓盤能夠?yàn)楣饪虣C(jī)提供穩(wěn)定的晶圓支撐和定位。

3. 薄膜涂覆：

薄膜涂覆過程中，晶圓卡盤用于將薄膜涂料均勻地涂覆在晶圓表面上。三溫CHUCK晶圓盤能夠確保涂覆過程在適當(dāng)?shù)臏囟葪l件下進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)薄膜的一致性和高質(zhì)量。

4. 功率器件測(cè)試：

對(duì)于功率器件，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等，需要在不同溫度下進(jìn)行性能測(cè)試。三溫CHUCK晶圓盤能夠模擬這些溫度條件，為功率器件的測(cè)試提供可靠的環(huán)境。

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性，廣泛應(yīng)用于八英寸及以下尺寸的半導(dǎo)體器件或晶圓的變溫電學(xué)性能關(guān)鍵參數(shù)分析，如：功率器件建模測(cè)試、晶圓可靠性評(píng)估、生產(chǎn)型變溫檢測(cè)，變溫光電測(cè)試、射頻變溫測(cè)試等。

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

特征:

• 僅使用空氣冷卻—無液體或帕爾貼元件

• 溫度范圍為-65℃到200℃

• 模塊化系統(tǒng)，適合單獨(dú)測(cè)試的需要

• 冷卻劑占地面積小，節(jié)省空間

• 兼容各大主流生產(chǎn)型或分析型探針臺(tái)

• 可集成全套的軟硬件于一體

高低溫晶圓卡盤三溫CHUCK

型號(hào) TC-A200      TC-A300

溫度范圍 -65℃→+200℃；

可選300℃、400℃ 溫度均勻性 <±0.5℃@<100℃；±0.5%@>100℃

溫控系統(tǒng)分辨率 ±0.01℃

溫度穩(wěn)定性 ±0.1℃

表面平整度 <±8μm@-60℃→+200℃；<±15μm@200℃→+300℃

溫控方式 電加熱/潔凈壓縮空氣（CDA）冷卻

表面材料 鍍鎳（可選鍍金）