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深圳市富泰克光電有限公司
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InGaAs 800nm-1700nm光電探測(cè)器

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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品       牌

廠(chǎng)商性質(zhì)其他

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更新時(shí)間:2022-02-13 13:57:12瀏覽次數(shù):356次

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隨著科技發(fā)展和工業(yè)要求,現(xiàn)代儀器正向集成化、工程化、智能化、高精度、快速處理和分析,自動(dòng)化方向發(fā)展

       隨著科技發(fā)展和工業(yè)要求,現(xiàn)代儀器正向集成化、工程化、智能化、高精度、快速處理和分析,自動(dòng)化方向發(fā)展。光電檢測(cè)技術(shù)是現(xiàn)代儀器的一個(gè)重要部分,推動(dòng)了現(xiàn)代分析儀器的發(fā)展,廣泛地應(yīng)用于各行各業(yè)領(lǐng)域中。特別是微弱光電檢測(cè)技術(shù)是光電信息轉(zhuǎn)換的起點(diǎn)也是光電檢測(cè)的難點(diǎn),同時(shí)也是有潛力的信息技術(shù)之一。現(xiàn)代分析儀器的接收部分常用的光電檢測(cè)器、光電倍增管 PMT Photomultiplier tube)和光學(xué)成像 CCD(Charge Coupled Device)傳感器等器件??商峁?/span>800-1700nm近紅外光探測(cè)器,廣泛用于光譜研究和光譜儀器。


image.png


波長(zhǎng)探測(cè)范圍:0.8um-1.7um

特點(diǎn):高響應(yīng)度、低噪聲、快速響應(yīng)

應(yīng)用:光功率計(jì)、激光二極管壽命測(cè)試、黑體輻射測(cè)量、分光分度計(jì)、GAS分析



image.png


InGaAs PIN Photodiode



性能指標(biāo):

參數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

單位

響應(yīng)度@1550

R

Vr= 0V

0.95

1.00

-

A/W

暗電流

Id

Vr= 5V

-

1

10

nA

工作波長(zhǎng)

λ

-

800

1550

1700

nm

帶寬

fc

-

-

-

-

GHz

結(jié)電容

C

Vr= 5V

-

50

80

pf

工作電壓

Vr

-

-

-

-20

V

工作溫度

Top

-

-30

-

+65

存儲(chǔ)溫度

Tst

-

-40

-

+85


光敏面直徑:1mm

型號(hào)LTM-N1-D1-TO

封裝形式:TO46平窗

管腳定義:

image.png



光敏面直徑:2mm

型號(hào)LTM-N1-D2-TO

封裝形式:TO5平窗

管腳定義:

image.png



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